Nem sokra rá, hogy sokunk kedvenc koreai cége bemutatta hivatalosan a Samsung Galaxy S10 széria tagjait, máris előrukkolt a következő nagy bejelentéssel, ami hatással lehet a teljes mobilos iparágra. A Samsung ugyanis megkezdte az 512 GB kapacitású eUFS 3.0 telefonokba szánt adattárolók tömeggyártását, ami nagyobb tárhellyel és még annál is nagyobb sebességgel rendelkezik az előző generációhoz képest.
Az új tárhelyek tehát már a gyártás folyamatában vannak és sokkal jobban teljesítenek, mint a jelenlegi eUFS 2.1 chipek. A Samsung memóriamodulokkal foglakozó részlegének alelnöke ennél is tovább ment és azt nyilatkozta, ezek a hátértárak már elérik a jelenlegi ultrabookok színvonalát.
Az új 512 GB-os eUFS 3.0 adattárolók nyolc darab ötödik generációs 512 gigabites V-NAND egységgel rendelkeznek, és egy vadonatúj, nagy teljesítményű irányítórendszerrel. Az olvasási sebesség elérheti a 2100 MB/s-ot, ami kétszer olyan gyors, mint a jelenlegei eUFS 2.1 chipek esetében. Az írási gyorsaság valahol 410 MB/s körül alakulhat, ami már eléri a SATA SSD-k szintjét.
Az 512 GB-os chipek mellett a Samsung természetesen más méretekben is készít ilyen adattárolókat. A 128 GB-os egységek gyártása például már megkezdődött, és a tervek között szerepel a 256 GB-os, illetve 1 TB-os modulok előállítása is, valamikor az idei év második felében.
Forrás: GSMArena
